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专利名称：晶粒层厚度测量方法及晶粒层异常的判断方法专利类型：发明专利发明人：龚瑜,黄彩清,吴凌申请号：CN201910026397.4申请日：20190111公开号：CN109883365A公开日：20190614
摘要：本发明公开了晶粒层厚度的测量方法，至少包括以下步骤：步骤S10:将待测晶粒使用FIB处理至目标区域；步骤S20:在所述目标区域滴入由CHCOOH、HNO、HF或者HO、HNO、HF按预设比例混合形成的混合酸溶液，静置预设时间后清洗，并去除所述目标区域的残留液体，得到检测样品；步骤S30：使用SEM在预设电压下对检测样品进行观察和测量。还公开了判断晶粒层异常的判断方法，通过芯片晶粒层厚度测量方法测量晶粒结构中各层厚度，并与标准值进行比较，判断芯片晶粒厚度是否存在异常，以及哪一层存在异常。本发明用于解决现有技术中对芯片晶粒层厚度测量方法的缺陷，操作简单且精确度高。
申请人：深圳赛意法微电子有限公司
地址：518038 广东省深圳市福田区福保街道福田保税区桃花路16号
国籍：CN
代理机构：广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
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