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专利名称：一种取向硅钢初次再结晶晶粒尺寸的测量方法专利类型：发明专利
发明人：杨明波,谭磊,李上民,胡捷,李春雨,刘运,宋洁,邹红申请号：CN202011400637.1申请日：20201204公开号：CN112666053A公开日：20210416
摘要：本发明公开了一种取向硅钢初次再结晶晶粒尺寸的测量方法，其包括如下步骤：S1，选取初次再结晶取向硅钢样品，切割得到ND‑TD平面、RD‑ND平面和RD‑TD平面对应的试样；S2，将三个试样分别镶样、粗磨、抛光、腐蚀，观察并测量ND‑TD平面、RD‑ND平面和RD‑TD平面相对应的晶粒平均截面积s、s和s；S3，根据晶粒平均截面积分别求得晶粒的轧向轴长a、横向轴长b和法向轴长c；S4，取a、b、c的平均值得到取向硅钢初次再结晶晶粒尺寸d。其具有误差小、准确性高的优点，能够为取向硅钢初次再结晶晶粒尺寸相关的制造工艺的控制和优化提供理论依据。
申请人：重庆理工大学
地址：400054 重庆市巴南区李家沱红光大道69号
国籍：CN
代理机构：重庆华科专利事务所
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