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专利名称：一种应用于芯片内部的高压转低压电路专利类型：实用新型专利发明人：方建平,李红艳,张适申请号：CN201821824658.4申请日：20181106公开号：CN2024118U公开日：20190531
摘要：本实用新型提供了一种应用于芯片内部的高压转低压电路，随着VIN电压的继续上升，MOS管M3开启，MOS管M3漏极端产生电压并跟随电源电压的上升而上升，当电阻R3和R4之间的节点电压达到阈值电压时，MOS管M4开启，MOS管M1，M2构成的电流镜开始工作，MOS管M2的产生的镜像电流作用在电阻R2上，为MOS管M3提供栅极电压，MOS管M3的漏极产生稳定的输出电压，连接在MOS管M2的漏极和MOS管M3的漏极之间的电阻R1和电容C1对整个电路进行补偿。本实用新型不需要基准电压产生电路和额外的电流偏置电路，通过简单的电路设计，产生稳定的可供芯片内部其他模块工作的低电压，不需要浪费过多的芯片面积，同时本实用新型的电路自身的功耗很低，可以提高整个芯片工作时的稳定性。
申请人：西安拓尔微电子有限责任公司
地址：710000 陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201
国籍：CN
代理机构：西北工业大学专利中心
代理人：金凤
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