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专利名称：包括接触塞的半导体器件及相关方法专利类型：发明专利
发明人：尹在万,秦教英,洪亨善,吉田诚,金奉秀申请号：CN200910265299.2申请日：20091230公开号：CN101807575A公开日：20100818
摘要：本发明提供了包括接触塞的半导体器件及相关方法。半导体器件包括半导体层，该半导体层包括第一区域和第二区域；第一接触塞，该第一接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第一区域；第二接触塞，该第二接触塞布置在半导体层上并且电气地连接至第二区域；导电层，该导电层电气地连接至第一接触塞，该导电层具有侧面和底面；以及绝缘层，该绝缘层布置在导电层和第二接触塞之间以便于绝缘导电层和第二接触塞，该绝缘层面对导电层的底面的一部分和侧面。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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