专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：半导体构造、存储器阵列、电子系统和形成半导体
构造的方法
专利类型：发明专利
发明人：古尔特杰·S·桑胡,马克·D·杜尔詹申请号：CN2006800233.8申请日：20060710公开号：CN101253617A公开日：20080827
摘要：本发明包含具有带沟槽隔离区的半导体构造。所述带沟槽隔离区的沟槽可包含较窄底部和位于所述底部上方的较宽上部。电绝缘材料可填充所述较宽上部，同时在所述较窄底部内留下空洞。所述底部可具有大致垂直的侧壁，并且可在从所述侧壁大致垂直地延伸的台阶处接合到所述上部。所述带沟槽隔离区可并入到存储器阵列中，且/或可并入到电子系统中。本发明还包含形成半导体构造的方法。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王允方
更多信息请下载全文后查看