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专利名称：形成半导体存储器阵列的方法及由此制造的存储器
阵列
专利类型：发明专利发明人：S·基尔尼安申请号：CN03108413.3申请日：20030331公开号：CN14508A公开日：20031022
摘要：一种形成浮栅存储单元的阵列的方法，以及由此形成的一种阵列，该阵列包括形成在衬底中的源区和漏区，布置在源区上的材料的导电块。浮栅形成为具有布置在沟道区上的第一部分和垂直于导电块延伸的第二部分的薄的L形导电材料层。控制栅包括与浮栅第一部分的远端相邻布置并与其绝缘的第一部分和与沟道区相邻地布置的第二部分。控制栅的一部分可延伸进入形成在衬底中的沟槽，其中漏区形成在沟槽的下方，并且沟道区具有沿沟槽的侧壁延伸的第一部分和沿衬底表面延伸的第二部分。
申请人：硅存储技术公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理()有限公司
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