专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：非易失性存储器的制作方法专利类型：发明专利
发明人：潘建尉,张守宇,曾增文,傅景鸿,钟志平申请号：CN200710129127.3申请日：20070711公开号：CN101345217A公开日：20090114
摘要：一种非易失性存储器的制作方法。首先，于基底中形成隔离结构以定义出有源区。隔离结构平行排列，且突出基底的表面。然后，于基底上形成与隔离结构交错排列的掩模层，且掩模层的表面高于隔离结构的表面。接着，于基底中形成掺杂区。之后，于掩模层之间的基底上形成绝缘层。绝缘层的材料与掩模层的材料具有不同蚀刻选择性。然后，移除掩模层，暴露出基底。于基底上形成隧穿介电层后，于隔离结构与绝缘层包围的基底上形成浮置栅极。浮置栅极的表面低于隔离结构的表面。之后，于基底上形成栅间介电层。随之，于绝缘层之间形成控制栅极。
申请人：茂德科技股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
更多信息请下载全文后查看