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专利名称：一种晶体硅表面的钝化层的制备方法专利类型：发明专利发明人：刘建英
申请号：CN201310735412.5申请日：20131228公开号：CN103746032A公开日：20140423
摘要：一种晶体硅表面的钝化层的制备方法，包括p型硅片的背场钝化层与n型硅片的p型前发射极表面钝化层，所述的钝化层是AIN薄膜。所述的晶体硅表面的钝化层的制备方法，包括如下步骤：步骤I：按照晶体硅太阳能电池的工艺在p型硅片或n型硅片扩散制备PN结；步骤2：采用磁控溅射技术，以Al作为靶材，NHo作为反应气源，Ar气作为等离子体增强气，在经步骤l处理的晶体硅衬底的p型硅表面沉积AIN薄膜作为钝化层；或者采用等离子增强化学气相沉积技术，以三甲基铝作为Al源，NHo作为氮化源，氮气或者氩气作为Al源的载气，在步骤l得到的p型硅表面沉积AIN薄膜钝化层；步骤3：将步骤2处理后的p型硅片或n型硅片进行热处理，以激活钝化层的钝化效果。
申请人：刘建英
地址：030000 山西省太原市古交市文化苑小区
国籍：CN
代理机构：太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人：李富元
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