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专利名称：一种芴酮衍生物及其制备和应用专利类型：发明专利
发明人：穆广园,庄少卿,任春婷,徐鹏申请号：CN201811466318.3申请日：20181203公开号：CN109574823A公开日：20190405
摘要：本发明公开了一种芴酮衍生物及其制备和应用。以具有缺电子羰基基团的芴酮结构为核心，进一步桥接具有缺电子特性的芳香稠环化合物，从而形成一类具有较强空穴传输特性的化合物。作为OLED器件空穴传输材料和发光层主体材料，可显著提高器件的启动电压、发光强度、外量子效率、电流效率、功率效率、色度、半衰期等方面的性能，提高器件工作稳定性。
申请人：武汉尚赛光电科技有限公司
地址：430075 湖北省武汉市高新大道999号未来科技城
国籍：CN
代理机构：北京轻创知识产权代理有限公司
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